MKY-KDY-2型兩探針電阻率測(cè)試儀是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)及美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)(ASTM)推薦的材料驗(yàn)收檢測(cè)方法“兩探針法"設(shè)計(jì)。它適合于測(cè)量模截面尺寸是可測(cè)量的,而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒,例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。由于兩探針法的測(cè)量電流是從長棒兩端進(jìn)出,遠(yuǎn)離電壓測(cè)量探針,因此電流流過金屬與半導(dǎo)體接觸處產(chǎn)生的許多副效應(yīng)(如珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等),對(duì)測(cè)量的影響較小,因此兩探針法的測(cè)量精度一般優(yōu)于四探針法。特別是對(duì)多晶材料的測(cè)量,由于多晶晶粒間界處,雜質(zhì)局部偏析可能導(dǎo)致電阻率較大變化,這種影響對(duì)四探針法更為嚴(yán)重,故不推薦用四探針法測(cè)量多晶材料的電阻率。
本儀器除適合測(cè)量體形有規(guī)則的單晶棒外,也適合測(cè)量多晶棒。兩探針法測(cè)量水平區(qū)熔多晶鍺電阻率,在我國已有四十多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),對(duì)區(qū)熔鍺錠橫截面面積的變化已總結(jié)出一套計(jì)算方法,本儀器采用李賀成教授提出的計(jì)算公式編寫程序,可用微機(jī)HQ-710C處理區(qū)熔鍺錠的測(cè)量數(shù)據(jù),或采用KDY測(cè)量系統(tǒng)軟件測(cè)量數(shù)據(jù),并根據(jù)北京有色金屬研究總院余懷之教授的提議,擴(kuò)大了微處理機(jī)的數(shù)據(jù)處理范圍。
本儀器主要由電氣測(cè)量部份(簡(jiǎn)稱:主機(jī))、測(cè)試臺(tái)及兩探針頭組成。儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測(cè)量電阻率的同時(shí),另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化,免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換,更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān),在測(cè)量某些材料時(shí),可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生,更好地保護(hù)被測(cè)材料。儀器配置了本公司的產(chǎn)品:“小游移探針頭",間距為10mm的兩探針頭探針游移率在0.02~0.05%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)需配用HQ-710C數(shù)據(jù)處理器或KDY測(cè)量系統(tǒng)軟件,置入必須的數(shù)據(jù)后,處理器會(huì)配合探頭在鍺錠上移動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)計(jì)算、打印出各點(diǎn)的電阻率。
主機(jī)技術(shù)參數(shù)
(1)測(cè)量范圍:
可測(cè)電阻率:鍺晶體0.1-100Ω·cm
可測(cè)鍺錠尺寸:大長度700mm;大高度50mm;大寬度60mm。
(2)恒流源:
輸出電流:DC 0.004-100mA 五檔連續(xù)可調(diào)
量程:0.004-0.01mA
0.04-0.10mA
0.4-1.0mA
4.0-10mA
40-100mA
恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.05%
(3)直流數(shù)字電壓表:
測(cè)量范圍:0-199.99mV
靈敏度:10μA
基本誤差:±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
輸入阻抗:≥1000MΩ
(4)電阻測(cè)量誤差:≤0.3%
(5)兩探針頭:KDT-5
探針間距:10.00±0.02mm
游移率:0.02-0.05%
探針壓力:4±1N/單針
(6)供電電源:
AC 220V ±10% 50/60Hz 功率:12W
(7)使用環(huán)境:
溫度:23±2℃ 相對(duì)溫度:≤65%
無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾,無強(qiáng)光直接照射。
(8)重量、體積:
主機(jī)重量:7.5Kg
體積:390×340×190(單位:mm 長度×寬度×高度)
MKY-KDY-2型兩探針電阻率測(cè)試儀是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)及美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)(ASTM)推薦的材料驗(yàn)收檢測(cè)方法“兩探針法"設(shè)計(jì)。它適合于測(cè)量模截面尺寸是可測(cè)量的,而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒,例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。由于兩探針法的測(cè)量電流是從長棒兩端進(jìn)出,遠(yuǎn)離電壓測(cè)量探針,因此電流流過金屬與半導(dǎo)體接觸處產(chǎn)生的許多副效應(yīng)(如珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等),對(duì)測(cè)量的影響較小,因此兩探針法的測(cè)量精度一般優(yōu)于四探針法。特別是對(duì)多晶材料的測(cè)量,由于多晶晶粒間界處,雜質(zhì)局部偏析可能導(dǎo)致電阻率較大變化,這種影響對(duì)四探針法更為嚴(yán)重,故不推薦用四探針法測(cè)量多晶材料的電阻率。
本儀器除適合測(cè)量體形有規(guī)則的單晶棒外,也適合測(cè)量多晶棒。兩探針法測(cè)量水平區(qū)熔多晶鍺電阻率,在我國已有四十多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),對(duì)區(qū)熔鍺錠橫截面面積的變化已總結(jié)出一套計(jì)算方法,本儀器采用李賀成教授提出的計(jì)算公式編寫程序,可用微機(jī)HQ-710C處理區(qū)熔鍺錠的測(cè)量數(shù)據(jù),或采用KDY測(cè)量系統(tǒng)軟件測(cè)量數(shù)據(jù),并根據(jù)北京有色金屬研究總院余懷之教授的提議,擴(kuò)大了微處理機(jī)的數(shù)據(jù)處理范圍。
本儀器主要由電氣測(cè)量部份(簡(jiǎn)稱:主機(jī))、測(cè)試臺(tái)及兩探針頭組成。儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測(cè)量電阻率的同時(shí),另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化,免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換,更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān),在測(cè)量某些材料時(shí),可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生,更好地保護(hù)被測(cè)材料。儀器配置了本公司的產(chǎn)品:“小游移探針頭",間距為10mm的兩探針頭探針游移率在0.02~0.05%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)需配用HQ-710C數(shù)據(jù)處理器或KDY測(cè)量系統(tǒng)軟件,置入必須的數(shù)據(jù)后,處理器會(huì)配合探頭在鍺錠上移動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)計(jì)算、打印出各點(diǎn)的電阻率。
主機(jī)技術(shù)參數(shù)
(1)測(cè)量范圍:
可測(cè)電阻率:鍺晶體0.1-100Ω·cm
可測(cè)鍺錠尺寸:大長度700mm;大高度50mm;大寬度60mm。
(2)恒流源:
輸出電流:DC 0.004-100mA 五檔連續(xù)可調(diào)
量程:0.004-0.01mA
0.04-0.10mA
0.4-1.0mA
4.0-10mA
40-100mA
恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.05%
(3)直流數(shù)字電壓表:
測(cè)量范圍:0-199.99mV
靈敏度:10μA
基本誤差:±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
輸入阻抗:≥1000MΩ
(4)電阻測(cè)量誤差:≤0.3%
(5)兩探針頭:KDT-5
探針間距:10.00±0.02mm
游移率:0.02-0.05%
探針壓力:4±1N/單針
(6)供電電源:
AC 220V ±10% 50/60Hz 功率:12W
(7)使用環(huán)境:
溫度:23±2℃ 相對(duì)溫度:≤65%
無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾,無強(qiáng)光直接照射。
(8)重量、體積:
主機(jī)重量:7.5Kg
體積:390×340×190(單位:mm 長度×寬度×高度)